ASTM F1727-2002 抛光硅片氧化引起缺陷的检测的标准实施规程

作者:标准资料网 时间:2024-04-28 13:47:12  浏览:8624   来源:标准资料网

【英文标准名称】:StandardPracticeforDetectionofOxidationInducedDefectsinPolishedSiliconWafers
【原文标准名称】:抛光硅片氧化引起缺陷的检测的标准实施规程
【标准号】:ASTMF1727-2002
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:2002
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.06
【标准类型】:(Practice)
【标准水平】:()
【中文主题词】:缺陷;半导体;薄片;硅;垫圈;划痕;试验;蚀刻;滑动;污染
【英文主题词】:defects;dislocation;epitaxy;hillock;imperfections;oxidation;preferentialetch;shallowpit;silicon;slip;stackingfault;swirl
【摘要】:ThisstandardwastransferredtoSEMI(www.semi.org)May20031.1Thispracticecoversthedetectionofcrystallinedefectsinthesurfaceregionofsiliconwafers.Thedefectsareinducedorenhancedbyoxidationcyclesencounteredinnormaldev
【中国标准分类号】:H82
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:3P.;A4
【正文语种】: